Molibdeno sottile dell'emulsione di PVD che farfuglia gli obiettivi

Dettagli:
Luogo di origine: La CINA
Marca: JINXING
Certificazione: ISO 9001
Numero di modello: Molibdeno che farfuglia obiettivo
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1Kg
Imballaggi particolari: Cassa del compensato
Tempi di consegna: 10~25 giorni del lavoro
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union
Capacità di alimentazione: 100000kgs/M

Informazioni dettagliate

Materiale: Molibdeno che farfuglia obiettivo Colore/aspetto: Grigio, metallico
Dimensione: Su misura Applicazione: sistema di rivestimento del pvd
Forma: giro, obiettivo, disco Granulometria: Dimensione a grana fine, buona densità
Purezza:: 99,95% Densità: 10.2g/cm3
Evidenziare:

Molibdeno che farfuglia gli obiettivi

,

PVD che ricopre farfugliando gli obiettivi

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99

Descrizione di prodotto

Molibdeno che farfuglia obiettivo per emulsione sottile

Descrizione di prodotto:

1. Grado: Mo1, TZM, lega di MoNb.

2. Purezza: > =99.95%

3. Caratteristica:

Punto di fusione: 2610°C

Punto di ebollizione: 5560°C

Densità: 10.2g/cm3

Alta qualità, lavorabilità

4. Certificato: ISO9002

5. Caratteristica di prodotto: Punto ad elevato punto di fusione, alta densità, resistenza di ossidazione ad alta temperatura, tempo di impiego lungo, resistenza alla corrosione.

Il punto di fusione di molibdeno rivestito che farfuglia l'obiettivo è 2610℃ ed il punto di ebollizione è ℃ 5560. E la purezza di può fino a 99,95%.

Il molibdeno ricoperto che farfuglia l'obiettivo presenta molti vantaggi quali punto ad elevato punto di fusione, alta forza fisica, l'alto modulo di elasticità, la grande conducibilità termica e la resistenza della corrosione ecc.

 

Applicazione:

· Industria elettronica come rivestimento del PWB;

· Industria dello schermo piatto come rivestimento LCD;

· Rivestimento ottico

· Semiconduttore elettronico

· Farfugliare il rivestimento di vuoto & del materiale;

· Emulsione ecc. di PVD.

 

 

Nome di prodotto Elemento Purirty ℃ di punto di fusione Densità (g/cc) Forme disponibili
Alto nastro puro AG 4N-5N 961 10,49 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto alluminio puro Al 4N-6N 660 2,7 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto oro puro Au 4N-5N 1062 19,32 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto bismuto puro Bi 5N-6N 271,4 9,79 Particella, obiettivo
Alto cadmio puro CD 5N-7N 321,1 8,65 Particella, obiettivo
Alto cobalto puro Co 4N 1495 8,9 Particella, obiettivo
Alto cromo puro Cr 3N-4N 1890 7,2 Particella, obiettivo
Alto rame puro Cu 3N-6N 1083 8,92 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto ferro puro Fe 3N-4N 1535 7,86 Particella, obiettivo
Alto germanio puro GE 5N-6N 937 5,35 Particella, obiettivo
Alto indio puro In 5N-6N 157 7,3 Particella, obiettivo
Alto magnesio puro Mg 4N 651 1,74 Cavo, particella, obiettivo
Alto magnesio puro Mn 3N 1244 7,2 Cavo, particella, obiettivo
Alto molibdeno puro Mo 4N 2617 10,22 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto niobio puro N.B.: 4N 2468 8,55 Cavo, obiettivo
Alto nichel puro Ni 3N-5N 1453 8,9 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto cavo puro Pb 4N-6N 328 11,34 Particella, obiettivo
Alto palladio puro Palladio 3N-4N 1555 12,02 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto platino puro Pinta 3N-4N 1774 21,5 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto silicio puro Si 5N-7N 1410 2,42 Particella, obiettivo
Alta latta pura Sn 5N-6N 232 7,75 Cavo, particella, obiettivo
Alto tantalio puro Tum 4N 2996 16,6 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto tellurio puro Te 4N-6N 425 6,25 Particella, obiettivo
Alto titanio puro Ti 4N-5N 1675 4,5 Cavo, particella, obiettivo
Alto tungsteno puro W 3N5-4N 3410 19,3 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto zinco puro Zn 4N-6N 419 7,14 Cavo, strato, particella, obiettivo
Alto zirconio puro Zr 4N 1477 6,4 Cavo, strato, particella, obiettivo

 

Molibdeno che farfuglia l'immagine dell'obiettivo:

Molibdeno sottile dell'emulsione di PVD che farfuglia gli obiettivi 0

Molibdeno sottile dell'emulsione di PVD che farfuglia gli obiettivi 1

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