99,5% 99,9% 99,95% Chrome che farfuglia obiettivo 3x3mm 6x6mm per il materiale di evaporazione

Cilindro del cromo per evaporazione 99,5%, 99,9%, 99,95%

Principio di rivestimento di evaporazione:

il processo fisico del rivestimento di evaporazione dal trasporto materiale di evaporazione al deposito è come segue:

1. Converta tutti i tipi di energia in energia termica, riscaldi il materiale di placcaggio per evaporare o sublimare e trasformarsi in in particelle del gas (atomi, molecole o gruppi atomici) con determinata energia (0.1-0.3ev);

2. Lasciando la superficie del materiale di placcaggio, le particelle gassose con la considerevole velocità sono trasportate basicamente alla superficie del substrato in un volo lineare libero di collisione;

3. I film di fase solida sono costituiti dalla condensazione delle particelle gassose sulla superficie del substrato;

4. Gli atomi che compongono il film sono riorganizzati o chimicamente sono legati.

Ci sono molti generi di materiali di rivestimento di evaporazione. Attualmente, ci sono centinaia di loro pricipalmente sono utilizzati nel mercato. Il processo di produzione pricipalmente include: Cristallo che schiaccia, schiacciante di fusione, trafilatura, taglio del cavo, granulazione, polverizzanti, pressatura della compressa, fondere, modanatura, ecc. La forma del prodotto pricipalmente include: vergella, polvere, particella irregolare, piccolo cilindro, piccola palla, cono

I prodotti principali sono:

come segue: (particelle, i blocchi e le polveri possono essere personalizzati) particelle di alluminio 99,99% 3 * 3mm; 99,999% particelle di rame di 3mm * 3 99,99% 3 * 3mm; 99,999% particelle del ferro di 3mm * 3 99,9% particelle di titanio di 3mm * di 2 99,999% particelle del vanadio di 6mm * 6 99,9% particelle del nichel di 3mm * di 3 99,999% particelle del cromo di 6mm * 6 99,95% particelle del cobalto di 3-5mm 99,95% particelle del manganese di 2-8mm 99,8% particelle del bario da 1-10 millimetri 99,6% particelle del calcio di 2-6cm (come deoxidizer) 99,5% particelle del tungsteno di 1-3mm (usato come deoxidizer) 99,95% particelle del niobio di 6mm * di 6 99,95% particelle del molibdeno di 6mm * 6 99,95% particelle del tantalio di 6mm * di 6 99,95% particelle dello zirconio di 6mm * 6 99,5% 1,6 * 5mm; 99,95% coni retinici di cristallo dell'afnio di 5mm * di 2,4 99,9% particelle 99,9% dell'afnio di d21mm.

Al dell'alluminio di elevata purezza, Cu del rame di elevata purezza, Ti di titanio di elevata purezza, si del silicio di elevata purezza, Au dell'oro di elevata purezza, AG d'argento di elevata purezza, indio di elevata purezza dentro, mg del magnesio di elevata purezza, Zn dello zinco di elevata purezza, platino pinta di elevata purezza, GE del germanio di elevata purezza, Ni del nichel di elevata purezza, TUM del tantalio di elevata purezza, lega Auge del germanio dell'oro, auni della lega di nichel dell'oro, lega NiCr del cromo del nichel, lega di alluminio di titanio TiAl, cuinga di rame della lega del gallio dell'indio, lega di rame CuInGaSe del selenio del gallio dell'indio, lega di alluminio dello zinco ZnAl, lega di alluminio AlSi del silicio ed altri materiali di rivestimento dei metalli.

Nucleazione e teoria della crescita dei materiali del film sottile

1. Il processo spontaneo di nucleazione di nucleazione è determinato dall'energia libera di transizione di fase.

2. Nucleazione non spontanea - oltre alla forza motrice di energia libera di transizione di fase, ci sono altri fattori per aiutare la formazione di nuovi centri di fase.

3. Modello a bande a cristallo di crescita di film

Ci sono tre processi del deposito dell'atomo: deposito o adsorbimento dell'atomo del vapore, diffusione di superficie e diffusione in serie.

La formazione della struttura del film è strettamente connessa agli ST/TM della temperatura del substrato ed all'energia degli atomi depositati. Gli ST è la temperatura del substrato ed il TM è il punto di fusione del materiale depositato.